光敏三極管PT850-F3
■特征Features
響應(yīng)時(shí)間快（Fast response times）。
高光敏性（High photo sensitivity）。
小結(jié)電容（Small junction capacitance）。
替代傳統(tǒng)CDS光敏電阻，不含鎘、鉛等有害物質(zhì)，符合歐盟ROHS標(biāo)準(zhǔn)（Instead of the traditional CDS photosensitive resistance, contain cadmium, lead and hazardous substances, ROHS compliant）。用于光控類產(chǎn)品，控制晝夜切換（For optical control products, control day and night switching）。
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參數(shù) Parameter |
符號 Symbol |
最大額定值 Rating |
單位 Units |
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工作電壓 Supply input Voltage |
VCC |
12 |
V |
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工作環(huán)境溫度 Operating Temperature |
Topr |
-25~+85 |
℃ |
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儲存環(huán)境溫度 Storage Temperature |
Tstg |
-40~+100 |
℃ |
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焊接溫度 Lead Soldering Temperature |
Tsol |
260 |
℃ |
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25℃或低于 25℃環(huán)境下功耗Power Dissipation at(or below)25℃ Free Air Temperature |
PC |
70 |
mW |
■光電特性Electro-Optical characteristics(Ta=25℃)
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參數(shù) Parameter |
符號Symbol |
條件Condition |
最小值Min. |
中間值Typ. |
最大值Max. |
單位Units |
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集電極發(fā)射極擊穿電壓Collector-Emitter Breakdown Voltage |
BVCEO |
Ic=100μA Ee=0mW/cm2 |
30 |
--- |
70 |
V |
|
發(fā)射極集電極擊穿電壓Emitter-Collector Breakdown Voltage |
VECO |
IE=100μA Ee=0mW/cm2 |
5 |
--- |
--- |
V |
|
集電極發(fā)射極飽和電壓Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sta) |
Ic=2mA Ee=1mW/cm2 |
--- |
--- |
0.4 |
V |
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啟動延時(shí)Rise time |
Tr |
VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω |
--- |
15 |
--- |
μS |
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關(guān)閉延時(shí)Fall Time |
Tf |
--- |
15 |
--- |
||
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暗電流Collector Dark Current |
ICEO |
Ev=0mW/cm2 VCE=20V |
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--- |
100 |
nA |
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亮電流On StatCollector Current |
IC(on) |
Ev=10lux 590nmVCE=5v |
7 |
--- |
8 |
uA |
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接收峰值光譜 Wavelength of Peak Sensitivity |
λρ |
--- |
400 |
850 |
1100 |
nm |
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